GaAs／AlGaAs超晶格微带带宽的计算

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：LoveYouNeverChange

【摘要】

：

利用MBE设备制备GaAs／AlGaAs超晶格材料，在低温（T=77K）下测量样品的光电流谱，从电子波动的观点出发，通过考虑电子波在超晶格阱层／势垒层的反射和干涉，讨论了超晶格的电子态．提出了一种

【作者】

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贺利军程兴奎李华张健周均铭黄绮

【机构】

：

山东大学物理与微电子学院,中国科学院物理研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年1期

【关键词】

：

超晶格电子态微带带宽计算法 superlattice electron states microband breadth calculation meth

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利用MBE设备制备GaAs／AlGaAs超晶格材料，在低温（T=77K）下测量样品的光电流谱，从电子波动的观点出发，通过考虑电子波在超晶格阱层／势垒层的反射和干涉，讨论了超晶格的电子态．提出了一种计算超晶格微带带宽的方法，并计算了GaAs／AlGaAs超晶格的微带带宽．理论计算结果和实验结果符合得相当好．

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