基于0．25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liang630223

【摘要】

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设计、制造和测试了基于0·25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17·4dB,在32GHz

【作者】

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顾建忠张健喻筱静钱蓉李凌云孙晓玮

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年12期

【关键词】

：

毫米波单片集成电路功率放大器赝配高电子迁移率晶体管

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设计、制造和测试了基于0·25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17·4dB,在32GHz具有0·5W的饱和功率输出.

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