高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jaczolo
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对GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题,并对此进行了计算机仿真及试验研究,仿真及试验结果都证明最大集电极电流得到大幅度提高。
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