【摘 要】
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针对不同国家标准对5G高频段的不同频率需求，设计了一款超宽带低噪声放大器，频率覆盖23～47GHz。采用T型电感并联峰化技术，实现对传统电感并联峰化机构的带宽扩展，在相同功耗下，带宽
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十四研究所; 东南大学射频与光电技术研究所; 南京美辰微电子有限公司;
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针对不同国家标准对5G高频段的不同频率需求，设计了一款超宽带低噪声放大器，频率覆盖23～47GHz。采用T型电感并联峰化技术，实现对传统电感并联峰化机构的带宽扩展，在相同功耗下，带宽可大幅提升。该放大器采用0.13μm BiCMOS工艺设计实现，芯片面积0.42mm×0.85mm。测试结果表明，该低噪放在频率23～47GHz范围内，增益大于22dB，S11和S22均小于-7dB，噪声系数2.6～3.8dB，输入1dB压缩点大于-15dBm，在1.2V电源电压下，芯片整体功耗仅12mW。
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