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用共沉淀的方法，制备了纤锌矿结构的ZnO及其掺Sb的ZnO纳米粉。X射线衍射（XRD）分析表明，当锑掺量小于5wt％时没有新相生成。纯ZnO和掺Sb的ZnO器件的气敏和电阻测试结果发现：不同的厚膜烧结工艺对气体的敏感性影响较大，并且掺Sb后ZnO的气敏性能有所提高，电导峰消失。从缺陷角度、XPS分析的结果进行了讨论，初步解释了锑的掺入导致电导变化和气敏性能提高的原因。