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在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流。利用单电子器件的＂阈值漂移＂特性,可以得到纳米存储器在不同阈值电压下的存储状态。仿真表明,该模型可以准确地模拟存储器的＂读＂和＂写＂状态。
浮栅型单电子存储器的等效电路模型
【摘 要】
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在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流。利用单电子器件的＂阈值
【机 构】
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湖南工程职业技术学院,湖南大学物理与微电子科学学院
【出 处】
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宇航计测技术
【发表日期】
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2010年4期
【基金项目】
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湖南省教育厅科学研究资助项目（07D025,08D042）,湖南省科技计划项目（2008FJ3123）,湖南省科技计划资助项目（2009FJ3050）.
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