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氧化铟是一种常见的n型半导体材料。本文简要介绍了氧化铟的典型制备方法,总结概括了In2O3对乙醇、NO2和氢气的气敏性能,并展望了其发展方向。
In2O3的制备方法及其气敏性能研究进展
【摘 要】
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氧化铟是一种常见的n型半导体材料。本文简要介绍了氧化铟的典型制备方法,总结概括了In2O3对乙醇、NO2和氢气的气敏性能,并展望了其发展方向。
【机 构】
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临沂大学材料科学与工程学院;
【出 处】
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山东化工
【发表日期】
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2018年23期
【基金项目】
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国家级大学生创新创业训练计划项目(编号:201710452058);临沂大学博士科研启动基金(编号:40617058);2018年山东省本科教改项目(加强科教融合,发挥学科优势,探索地方高校拔尖创新型人才培养新模式Z2018S006);2016年临沂大学教改项目(以社会需求为导向的材料科学与工程专业创新人才培养模式改革研究)
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