【摘 要】
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文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计.给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构.单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,
【机 构】
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辽宁大学,哈尔滨学院物理与电子工程系
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文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计.给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构.单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%.这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%.最后对研制结果进行了分析讨论.
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