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中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500VTrenchFSIGBT（沟槽栅场截止型）产品，在国际知名晶圆代工厂华虹NEC8寸制造工艺平台上首轮流片顺利完成，测试结果显示阻断电压达7100V以上，符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电子所IGBT研制方面迈上新的高度，我国自主IGBT芯片从设计到工艺的整体贯通又上了一个新的台阶。