【摘 要】
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采用第一性原理方法，研究了SiO2基质中包埋纳米晶Si的电子结构及光学性质。结果表明：位于约1.7eV的吸收峰是-0.59eV能级上的电子向由价键畸变产生的1.2eV能级跃迁的结果。纳米S
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,太原科技大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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山西省自然科学基金资助项目（No.20041073）
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采用第一性原理方法，研究了SiO2基质中包埋纳米晶Si的电子结构及光学性质。结果表明：位于约1.7eV的吸收峰是-0.59eV能级上的电子向由价键畸变产生的1.2eV能级跃迁的结果。纳米Si粒中含不饱和键的Si原子的p轨道对可见光区光的吸收有主要的贡献。同时由于这些缺陷引入的能级使价带、导带在Fermi面发生交叠而表现出导电性。
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