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砷化镓(GaAs)作为一种重要的III-V族材料。具有电子迁移率高、本征载流子浓度低、发光效率高等特性,广泛应用于半导体光电器件中。对GaAs的发光特性的研究可以为GaAs基半导体光电器件的设计提供重要理论依据,而GaAs发光特性的改善对提高GaAs基器件的性能也尤为重要。文章综述了GaAs薄膜发光特性的国内外研究现状,总结了改善GaAs薄膜发光特性的方法,对促进GaAs薄膜在半导体光电器件的应用具有重要的意义。