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采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高α轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉４００－５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高一６００－７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现。薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显，在玻璃基