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Sb掺杂SnO2（Antimony doped tin oxide，简称ATO）纳米导电粉末具有优良的电学性能，少量的Sb掺杂即可达到抗静电要求，而且不改变基体的性质。采用非均相成核法制备了ATO纳米导电粉末，研究了晶种浓度、反应温度、分散剂对粉末粒径、电阻率等性能的影响；并对其进行了晶粒粒径、物相、微观结构、DTA-TG、表观形貌和能谱分析。结果表明，粉末晶粒粒径为6nm；掺杂Sb没有在SnO2中形成新相；电阻率为0.23Ω·cm；ATO干凝胶的煅烧过程经历了4个过程；ATO颗粒呈不规则的椭圆