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以硅粉和碳黑为初始原料,通过机械活化和化学活化预处理,实现了Si-C体系在较低温度下燃烧合成SiC.采用XRD、SEM和EDS等手段,分析了合成产物的相组成和微观结构特征.结果表明;机械活化预处理可使燃烧反应诱发温度降低至1050℃,合成SiC粉体的比表面积为4.36m^2/g,平均粒径〈5μm.