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一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kinbay

【摘 要】

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提出了一种适用于短沟道LDD MOSFET的改进型参数提取方法，通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法，提取偏压相关参数，保证了线性回归方法的精度和有效性，避免了对栅偏压范围的优

【作 者】

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于春利 郝跃 杨林安 

【机 构】

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西安电子科技大学微电子研究所

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年10期

【关键词】

：

轻掺杂漏MOSFET 参数提取 寄生串联电阻 迁移率 LDD MOSFETparameter extractionparasitic se ries resis 

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 0 60 0 6)~~

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提出了一种适用于短沟道LDD MOSFET的改进型参数提取方法，通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法，提取偏压相关参数，保证了线性回归方法的精度和有效性，避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑．提取出的参数用于已建立的深亚微米LDDMOSFET的I-V特性模型中，模拟与测试数据的吻合表明了该方法的实用性．

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