【摘 要】
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采用XRD，EDS及热力学分析等方法，对二氧化硅在真空碳热-氯化法炼铝过程中的行为进行研究。研究结果表明：碳热还原过程SiO2在较低温度下发生碳热还原反应生成SiC，在更高的温度条件
【机 构】
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昆明理工大学真空冶金国家工程实验室,云南师范大学化学化工学院
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采用XRD，EDS及热力学分析等方法，对二氧化硅在真空碳热-氯化法炼铝过程中的行为进行研究。研究结果表明：碳热还原过程SiO2在较低温度下发生碳热还原反应生成SiC，在更高的温度条件下碳热还原生成低价氧化硅SiO气体；另外还有一定量的SiC与AhC3结合生成A14SiC4。碳热还原过程生成的低价氧化硅SiO气体进入低温区歧解得到单质硅与二氧化硅；同时还有氧化铝碳热还原生成的低价氧化铝A12O气体进入低温区与CO发生二次氧化反应生成氧化铝与碳，低价氧化铝A12O与低价氧化硅SiO气体在低温区发生反应的可能性
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