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给出了高纯锗（HPGe）γ，探测器面源效率随高度变化的经验函数，并提出了利用体标准源和遗传算法确定面源效率函数参数的方法。对已知双层模拟样品中的^226Ra、^232Th和^40K进行了分析，结果与已知数据吻合，表明利用面源效率函数对其中放射性核素为一维非均匀分布的样品进行非破坏性分析是可行的。