【摘 要】
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本文叙述了双层多晶硅 VLSI 器件的不同氧化比率,及在750—900℃温度范围内重掺杂多晶硅的干 O2氧化特性。这些不同的效应在800℃左右温度下为最佳,这与在较高温度下控制速率
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本文叙述了双层多晶硅 VLSI 器件的不同氧化比率,及在750—900℃温度范围内重掺杂多晶硅的干 O2氧化特性。这些不同的效应在800℃左右温度下为最佳,这与在较高温度下控制速率的扩散反应相反,它的氧化过程主要受表面反应的控制。在800℃下,干 O2中氧化28小时（100）p—型单晶硅上形成505厚的氧化层,而在950℃下,预淀积POCL3 34分钟后,n—型多晶硅上则生产2020的氧化层。证明氧化时间较长就会减小不同的氧化比率。为产生与 POCL3掺杂多晶硅一样大的不同氧化效应,在50Kev 下用 As 离子注入,剂量为3.2×1016cm-2。为研究掺杂范围,把线性速率常数增加到55倍,而抛物线速率常数增加不到4倍。
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