在超声场的存在下用稀化学蚀刻剂控制二氧化硅蚀刻速率

来源 :电镀与涂饰 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liangzhenghai
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公开号 CN1188817A  申请人 MEMC电子材料有限公司  地址 美国密苏里州  一种用于清洗硅体和可控地降低覆盖在硅基底上的二氧化硅厚度的方法。该方法包括在超声场的存在下,使用稀释的蚀刻剂化学蚀刻二氧化硅层。蚀刻剂的浓度小于给定的温定下的扩散速 Publication Number CN1188817A Applicant MEMC Electronic Materials Co., Ltd. Address Missouri, USA A method for cleaning silicon bodies and controllably reducing the thickness of silica coated on a silicon substrate. The method includes chemically etching the silicon dioxide layer using a dilute etchant in the presence of an ultrasound field. The concentration of etchant is less than the given diffusion rate at a constant temperature
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