Electronic Transport in MoSe2 FETs Modified by Latent Tracks Created by Swift Heavy Ion Irradiation

来源 :中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guoliangc

【摘要】

：

Unique characteristics of transition metal dichalcogenides(TMDCs)such as their tunable band gap and ultra-thin body thickness make them potential candidates for

【作者】

：

Zhang Shengxia Liu Jie Zeng Ji

【机构】

：

不详

【出处】

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中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版

【发表日期】

：

2019年1期

【关键词】

：

MoSe2 OPTOELECTRONIC TUNABLE

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Unique characteristics of transition metal dichalcogenides(TMDCs)such as their tunable band gap and ultra-thin body thickness make them potential candidates for applications in optoelectronic.

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