论文部分内容阅读
影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能，结合实验室现有的条件，从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发，找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺，有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污，提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。