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采用溶剂热合成技术,以氯化铜、硝酸铟和硫脲为反应物,十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为阳离子表面活性剂,草酸为还原剂,无水乙醇为溶剂,直接在掺氟的SnO2透明导电玻璃（FTO）衬底上合成CuInS2（CIS）薄膜.采用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、能量色散谱（EDS）、紫外-可见（UV-Vis）反射光谱和透射光谱对样品的形貌、结构、成分和光学性能进行分析.结果表明,在适当的反应物浓度下,在FTO衬底上形成了垂直衬底生长的、具有良好结晶性能的