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分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端波长890nm自发辐射的光致电离效应,导出了砷化镓光导开关中流注顶部波长890nm自发辐射在吸收区域产生的载流子密度分布规律.计算结果表明,紧邻流注顶部处的光生载流子密度最大,波长890nm自发辐射产生的最大载流子密度比流注内平均载流子密度至少小3个数量级.
砷化镓光导开关中流注890 nm辐射的光致电离效应
【摘 要】
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分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端波长890nm自发辐射的光致电离效应,导出了砷化镓光导开关中流注顶部波长890nm自发辐射在吸收区域产生的载流子密度分布规律.计算结果表
【机 构】
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成都大学电子信息工程学院,成都工业学院机电工程系
【出 处】
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成都大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2013年3期
【基金项目】
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四川省应用基础研究计划（2010JY0160）资助项目.
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