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常压化学气相沉积法的氮氧化硅薄膜性能的研究
常压化学气相沉积法的氮氧化硅薄膜性能的研究
来源 :硅酸盐通报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xub23
【摘 要】
:
我们用常压化学气相沉积法(APCVD),以SiH4和NH3为先驱体,在较低的温度下制备氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,并对其性能进行了研究。研究结果表明氮氧化氮氧化硅薄膜难使改性后平板玻璃硬度提高40%,并具有良好的抗高
【作 者】
:
孟祥森
马青松
【出 处】
:
硅酸盐通报
【发表日期】
:
2000年2期
【关键词】
:
氮氧化硅
APCVD
高温氧化
改性
陶瓷薄膜
Silicon oxynitride APVCD hardness oxidation at high temp
【基金项目】
:
国家自然科学基金,,浙江省151人才工程资助
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我们用常压化学气相沉积法(APCVD),以SiH4和NH3为先驱体,在较低的温度下制备氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,并对其性能进行了研究。研究结果表明氮氧化氮氧化硅薄膜难使改性后平板玻璃硬度提高40%,并具有良好的抗高温氧化性,这种薄膜在材料表面改性伪装菜着广阔的应用前景。
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