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混合电压I／O接口的静电放电（electrostaticdischarge，ESD）保护设计是小线宽工艺中片上系统（SoC）设计的主要挑战之一。混合电压I／O接口的片上ESD保护既要避免栅氧可靠性问题，又要防止不期望的泄漏电流路径产生。这篇论文讨论了基于堆叠NMOS（Stacked—NMOS，STNMOS）的混合电压I／O接口的ESD保护设计构思和电路实现，通过不同ESD保护设计方案的比较，提出了一个最有效的保护方案。