【摘 要】
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详细分析了现有技术中半导体芯片与阳极钼片欧姆接触技术的优缺点,提出了一种全新的特高压晶闸管焊接技术。采用特殊的焊料,利用金属原子间微扩散键合的原理,将半导体芯片与
【机 构】
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详细分析了现有技术中半导体芯片与阳极钼片欧姆接触技术的优缺点,提出了一种全新的特高压晶闸管焊接技术。采用特殊的焊料,利用金属原子间微扩散键合的原理,将半导体芯片与钼片牢固地焊接在一起,形成良好的欧姆接触。采用欧姆接触技术制备了两种不同结构的样品,并对其进行电性能测试和可靠性试验。结果表明,与采用压接技术的样品相比,采用欧姆接触技术的样品在流过相同的电流(8 000 A)时,具有更小的通态压降(2. 423 V)和更小的热阻值(0. 004 66 K·cm~2/W),晶闸管性能和可靠性得到全面提高。采用此技术研制的6英寸(1英寸=2. 54 cm) 5 500 A/8 500 V特高压焊接技术晶闸管已成功应用于我国某特高压直流输电工程中。
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