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在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约10 7倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(～ 10-13 A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现,基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景.