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气相反应法合成精细AIN粉末
气相反应法合成精细AIN粉末
来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hunterpo
【摘 要】
:
<正> AlN陶瓷有很高的热导性和电阻率,可用作半导体器件的陶瓷基片。工业上合成AlN粉主要采用Al_2O_3热碳还原法。这是一种成批生产的方法,不利于连续生产。用气相反应法可制
【作 者】
:
程锦然
钟彩霞
【出 处】
:
电子元件与材料
【发表日期】
:
1990年6期
【关键词】
:
AIN陶瓷
AIN粉
合成
气相反应法
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<正> AlN陶瓷有很高的热导性和电阻率,可用作半导体器件的陶瓷基片。工业上合成AlN粉主要采用Al_2O_3热碳还原法。这是一种成批生产的方法,不利于连续生产。用气相反应法可制备出高纯度AlN粉,且适于连续生产。笔者研究了用AlCl_3和NH_3气进行气相反应来合成AlN粉的方法。
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