【摘 要】
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本文研究非晶硅薄膜场效应管(a-Si:H FET)的特性.探索了制作a-Si:HFET的工艺条件,制作出了用Si_3N_4或SiO_2作为栅绝缘层的a-Si:H FET,建立了测量其直流特性的测量装置,得到
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系
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本文研究非晶硅薄膜场效应管(a-Si:H FET)的特性.探索了制作a-Si:HFET的工艺条件,制作出了用Si_3N_4或SiO_2作为栅绝缘层的a-Si:H FET,建立了测量其直流特性的测量装置,得到了a-Si:H FET的转移特性和输出特性.并对其结果进行了分析比较.
In this paper, the characteristics of a-Si: H FET are studied, the fabrication conditions of a-Si: HFET are explored, and the a-Si: H FET with Si_3N_4 or SiO_2 gate insulating layer , A measuring device for measuring the DC characteristics was established and the transfer characteristics and output characteristics of the a-Si: H FET were obtained. The results were analyzed and compared.
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