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在蓝宝石C面上利用激光分子束外延（L-MBE）的方法，分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。并进行了X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）谱的分析。测试结果表明，较低温度时，随着生长温度的升高，薄膜的结晶及发光性能得到提高；但是当温度进一步升高，却有所变差。说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围，并对此机理进行了深入分析。