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建立了室温下使用多次透射反射红外光谱法(MTR-IR)测量单晶硅中间隙氧和代位碳含量的新红外光谱吸收方法,在理论和实验上证明了MTR-IR优于常规使用的单次垂直透射红外(IR)吸收测量方法。与IR法相比较,MTR—IR法的优点为:(1)间隙氧在1107cm。处和代位碳在605cm^-1处的吸收峰与MTR-IR法中红外光透过硅片的的次数N(6~12)成线性增加的正比例关系,因此单晶硅中间隙氧和代位碳含量的检测限至少比IR法低一个数量级:(2)MTR-IR法测量薄硅片如0.2mm的厚度时产生的干涉条纹强度是单