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本文阐述了MCP连续打拿极传统的制备方法，并提出采用半导体技术制备Si—MCP连续打拿极的新途径，通过对比进一步总结出采用新方法制备MCP连续打拿极的优越性。
Si—MCP连续打拿极的制备
【摘 要】
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本文阐述了MCP连续打拿极传统的制备方法，并提出采用半导体技术制备Si—MCP连续打拿极的新途径，通过对比进一步总结出采用新方法制备MCP连续打拿极的优越性。
【机 构】
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长春理工大学理学院
【出 处】
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长春理工大学学报
【发表日期】
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2006年1期
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