高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In0.15Ga0.85As／GaAs量子线阵列

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：weike112121

【摘要】

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利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaA s衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构.通过原子力显微镜(AFM)对Ga0.85In0.15A s外延层的表面形貌进行

【作者】

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闫发旺张文俊张荣桂崔立奇梁春广刘式墉

【机构】

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信息产业部电子第十三研究所,信息产业部电子第十三研究所,吉林大学电子工程系

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2001年10期

【关键词】

：

分子束外延量子线阵列砷化镓自组织生长 MBE high index quantum wire array

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利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaA s衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构.通过原子力显微镜(AFM)对Ga0.85In0.15A s外延层的表面形貌进行了观测.测试结果表明量子线的密度高达4×105/cm.研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱(PPL),发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为9.2 MeV,最大偏振度p[ (I -I )/(I +I)]可达0.22,这些测试结果表明制备出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列

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