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本文从理论和实验两方面研究了显微Raman光谱测量中，激光功率对单晶硅样品测量的影响。由于显微Raman光谱仪对激光的聚焦作用，使得激光对不同厚度的样品具有微区加热作用，被测样品产生不同程度的温升，从而对显微Raman光谱仪在硅材料应力和温度的测量中产生影响。实验结果证明，对无限厚硅样品，20mW的激光使Raman频移达到0．15cm^-1；而对2μm厚的热薄硅样品，26mW的激光使Raman频移达到4．47cm^-1。