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基于Leybold APS1104镀膜系统，采用离子束辅助反应沉积技术，以金属Hf粒为初始镀膜材料，APS源偏转电压为50～140V范围内，在[-100]单晶硅片和紫外石英（JGS1）基板上制备了HfO2单层膜。分别利用Lambda900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析。结果表明：当APS源偏转电压在120～140V及50～90V两个范围内变化时，HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小