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建立了场板结终端对金刚石肖特基势垒二极管（SBD）的数值模拟模型,采用Silvaco软件中的器件仿真工具ATLAS模拟了场板长度L、绝缘层厚度TOX、衬底掺杂浓度NB、场板结构形状对器件内部电场分布以及击穿电压的影响,并对结果进行了物理分析和解释。结果表明：当TOX=0.4μm、NB=10^15cm^-3、L在0-0.2μm范围内时,击穿电压随着L的增加而增加;L〉0.2μm后,击穿电压开始下降。当L=0.2μm、NB=10^15cm^-3、TOX在0.1-0.4μm范围内时,击穿电压随着TOX的增加而增