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为确保MEMS器件的运作，对其进行缺陷检测是至关重要的，但许多机械性能无法通过电气或功能测试来确定。而一种有前途的能穿透硅和大多数其他半导体材料的近红外线检测技术（NIR），可以用来检测这些缺陷。介绍了利用近红外线透过晶圆片对MEMS器件通过图形比较的方法进行无损检测、尤其是对内部结构检查的质量控制新技术。