【摘 要】
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针对有机发光器件中普遍存在空穴漏电流影响发光效率的问题,将2nm的TPBI薄层引入到TPD空穴传输层中,改变该薄膜位置考察对器件光电性能的影响。结果表明,引入TPBI薄膜后器件
【机 构】
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深圳大学光电子器件与系统重点实验室,
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针对有机发光器件中普遍存在空穴漏电流影响发光效率的问题,将2nm的TPBI薄层引入到TPD空穴传输层中,改变该薄膜位置考察对器件光电性能的影响。结果表明,引入TPBI薄膜后器件发光效率均有明显提高。其中,当TPBI薄膜距离阳极界面10nm时,器件的最大发光效率为4.89cd/A,相对于没有阻挡层的常规器件提高52.3%。同时,器件的电流性能变化明显,随着减小TPBI薄膜与阳极的距离而减小。这说明,TPBI薄膜具备阻挡或者减缓空穴传输的能力,从而减小空穴漏电流,平衡发光层中的载流子并提高发光效率;同时,被阻挡的空穴积累在TPBI界面也将改变器件内的电场分布,从而TPBI位置不同,器件的电场分布也不同,体现为器件的电学性能随之改变。
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