中温退火对坡莫合金薄膜AMR的影响

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【摘要】

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制备了纳米级(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(3.5nm)/Ni82Fe18(t nm)/Ta(3 nm)坡莫合金系列膜,并进行了中温退火(200 °C),测量了退火前后样品的零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AM

【作者】

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刘俊郑瑞伦段昌奎

【机构】

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重庆邮电学院,西南师范大学,重庆邮电学院

【出处】

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微电子学

【发表日期】

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2004年6期

【关键词】

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坡莫合金薄膜中温退火零场电阻率各向异性磁电阻 Permalloy films Moderate temperature annealing Zero ma

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制备了纳米级(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(3.5nm)/Ni82Fe18(t nm)/Ta(3 nm)坡莫合金系列膜,并进行了中温退火(200 °C),测量了退火前后样品的零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构;从实验角度研究了中温退火对ρ和AMR随NiFe厚度(t)变化的影响,并探讨了该影响的微观机制.

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