【摘 要】
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设计了一种新型叉指状近红外Si0.8Ge0.2/Si pin横向光电探测器.采用半导体器件模拟软件Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟;对实
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设计了一种新型叉指状近红外Si0.8Ge0.2/Si pin横向光电探测器.采用半导体器件模拟软件Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟;对实际制作的光电探测器进行了测试,结果表明:其波长响应范围为0.4～1.3 μm,峰值响应波长在0.93 μm,响应度达0.38 A/W,寄生电容小于2.0 pF.实验结果和模拟结果符合得很好.其良好的光电性能为应用于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了可能.
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