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利用变分方法计算了GaAs/Al2Ga1-xAs量子阱中激子的束缚能,分析了电场、势阱宽度对激子束缚能的影响。采用明显不可分离的试探波函数,并考虑了电场对势阱中载流子几率分布的影响,计算了重空穴激子和轻空穴激子吸收峰位置随电场变化,结果与实验值符合得较好。更多还原
电场对量子阱中激子的影响
【摘 要】
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利用变分方法计算了GaAs/Al2Ga1-xAs量子阱中激子的束缚能,分析了电场、势阱宽度对激子束缚能的影响。采用明显不可分离的试探波函数,并考虑了电场对势阱中载流子几率分布的
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1990年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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