GSMBE生长1．8—2．0μm波段InGaAs／InGaAsP应变量子阱激光器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luoxingrobin

【摘要】

：

报道了气态分子束外延（GSMBE）生长1．8－2．0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果。1．8μm波段采用平面电极条形结构，已制备成功10μ m和80μm条宽器件，空长500μm，室温下光

【作者】

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柏颈松李爱珍等

【机构】

：

中国科学院上海光学与精密机械研究所,中国科学院上海冶金研究所?

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2001年1期

【关键词】

：

GSMBE生长中红外波段应变量子阱激光器 INGAAS/INGAASP 砷化镓 GSMBE midinfrared waveband strained qu

【基金项目】

：

中国科学院“九五”基础性研究重大项目资助 !( KJ95 1-81-70 6 -0 6)&&

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报道了气态分子束外延（GSMBE）生长1．8－2．0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果。1．8μm波段采用平面电极条形结构，已制备成功10μ m和80μm条宽器件，空长500μm，室温下光致发光中心波长约为1．82μm，在77K温度下以脉冲方式激射，阈值电流分别约为250mA和600mA，中心波长分别在1．69μm和1．73μ m附近。2．0μm波段，制备成功8μm宽脊波导结构器件，器件腔长500μm，室温光致发光中心波长约为1．98μm，77K温度下以脉冲方式激射，阈值电流约

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