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期刊论文
低功耗高速擦写Flash Memory的研究
低功耗高速擦写Flash Memory的研究
来源 :合肥工业大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:z957558481
【摘 要】
:
随着嵌入式系统和移动通信的发展及集成电路特征尺寸的减小,对低功耗和更快的擦写速度提出了新的要求。文章从传统Flash Memory的结构缺陷上分析,为降低功耗及提高擦写速度方面
【作 者】
:
吕家云
蒋全胜
【机 构】
:
巢湖学院物理系
【出 处】
:
合肥工业大学学报(自然科学版)
【发表日期】
:
2006年5期
【关键词】
:
FLASH
MEMORY
低功耗
电子注入
flash memory
low power-consumption
electron injection
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随着嵌入式系统和移动通信的发展及集成电路特征尺寸的减小,对低功耗和更快的擦写速度提出了新的要求。文章从传统Flash Memory的结构缺陷上分析,为降低功耗及提高擦写速度方面提出了改进方法,并介绍了Flash Memory技术的发展趋势。
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