论文部分内容阅读
采用溶胶-凝胶（S01-Gel）法在Si（100）衬底上制备了LaNiO3薄膜，然后在LaNiO3／Si（100）上制备了钙锶铋钛薄膜。研究了热处理工艺对LaNiO3（LNO）薄膜的影响。研究结果表明，当热分解温度为350℃、退火温度为750℃，厚为250nm时，制备的LNO薄膜的（110）衍射峰取向择优最明显，电阻率也较低，（为1．8×10 ^-3Ω·cm）。LNO缓冲层的引入促进钙锶铋钛薄膜沿A轴方向生长，明显改善了钙锶铋钛薄膜的电性能，即剩余极化强度Pι=15．2uC／cm2，矫