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采用中频交流磁控溅射方法制备了三种不同叠层方式的CuInGa（CIG）前驱膜。采用固态法硒化，获得了CIGS吸收层。采用SEM和XRD观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌。着重分析不同叠层方式的CIG前驱膜对CIGs吸收层薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明，三种叠层方式的前驱膜都可以获得成分均匀、结构一致的CIGS吸收层薄膜。Ga可以有效抑制In2Se挥发相生成，保持成分的稳定性。以CuGa（top）／CuIn（bottom）形式的前驱膜有利于形成紧密晶粒排列的CIGS。