【摘 要】
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本工作采用化学气相沉积法（CVD）石墨烯制备场效应晶体管（FET）传感器,在石墨烯表面修饰DNA,用于检测汞离子.为探索转移方法对石墨烯传感器件性能的影响,制备了3种不同转移工艺的石
【机 构】
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所表面工程事业部,中国科学院大学材料科学与光电技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(51573201,51501209,201675165);中国科学技术部国际科技合作项目(2015DFA50760)
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本工作采用化学气相沉积法（CVD）石墨烯制备场效应晶体管（FET）传感器,在石墨烯表面修饰DNA,用于检测汞离子.为探索转移方法对石墨烯传感器件性能的影响,制备了3种不同转移工艺的石墨烯样品,分别是PMMA转移方法中退火烧除PMMA的石墨烯、用丙酮洗去PMMA的石墨烯和Au转移的石墨烯,对石墨烯样品进行拉曼光谱、分光光度计、光学显微镜（OM）、扫描探针显微镜（SPM）的表征.通过FET转移特性曲线的输出,得到汞离子对石墨烯掺杂情况的变化,从而考察了各种石墨烯传感器对汞离子的检测性能.结果表明,Au转移的石
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