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本文研究了在石墨烯上生长GaN薄膜时晶体取向的变化。采用AlN成核层辅助生长,GaN由取向相差较大的小晶粒,逐渐合并为与石墨烯取向一致的晶粒,最终形成了约4.6μm厚的GaN薄膜。通过EBSD和XRD证实了GaN晶体取向一致性的提高,拉曼光谱也表明GaN晶体的高质量。
石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究
【摘 要】
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本文研究了在石墨烯上生长GaN薄膜时晶体取向的变化。采用AlN成核层辅助生长,GaN由取向相差较大的小晶粒,逐渐合并为与石墨烯取向一致的晶粒,最终形成了约4.6μm厚的GaN薄膜
【机 构】
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苏州大学光电科学与工程学院,江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2020年5期
【基金项目】
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国家重点研发计划(2017YFB0404100)
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