基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

来源 :电源学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yutianfeipao

【摘要】

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较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaN HEMTs(gallium nitride high electron mobility transistors)具有很高的开关速度和高功率密度的特性,可以为直流变换器提

【作者】

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姚盛秾韩金刚李霞光范辉汤天浩

【机构】

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上海海事大学物流工程学院,上海电机学院电气学院,中国电源学会

【出处】

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电源学报

【发表日期】

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2019年3期

【关键词】

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增强型氮化镓晶体管(GaN HEMT) 半桥LLC 软开关损耗分析 gallium nitride high electron mobility transi

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较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaN HEMTs(gallium nitride high electron mobility transistors)具有很高的开关速度和高功率密度的特性,可以为直流变换器提供有效的改进。为了解决GaN HEMT在硬开关应用场合下的波形振荡并提高功率密度和效率,采用半桥LLC谐振变换器为本次应用的拓扑结构。以减小损耗为目的,优化了LLC的谐振参数和死区时间。在400 V输入电压、开关频率300 kHz和输出电压18 V电流12 A的测试条件下,效率达到95.

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