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介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端，适用于双带（900MHz／1800MHZ）GSM／EDGE系统。射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成，并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器。该电路采用0．13MmcMoS工艺流片，芯片面积为0．9mm×1．0mm。芯片测试结果表明：射频前端在900MHz频带的噪声系数为2．9dB，输入三-／阶交调点为-12．8dBm，在1800MHz频带的噪声系数为3．2dB，输入三阶交调点为-11．9dBm。工作在1．2V电源电压时，射频前端在900