GaN异质结的二维表面态

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:en2113
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提出了氮化物表面强极化电荷产生薄吸附层形成的二维表面态新模型.从薛定谔方程和泊松方程的自洽计算中得到了新的二维表面态.计算了不同吸附层能带带阶、厚度和表面势下的表面状态,研究了表面态与异质结构间的关联.算得的表面能级同实验测量数据相吻合.用该态模型解释了氮化物产生高密度表面态的原因和深表面能级与较浅的瞬态电流激活能间的矛盾.
其他文献
以壤土为研究对象,将十八胺基伯胺作为斥水剂掺入天然风干重塑壤土中,配置了不同十八烷基伯胺含量和初始含水率的改性试样,采用滴水穿透时间法测定了改性壤土的斥水等级,提出并获得了改性壤土的临界含水率,分析了十八烷基伯胺含量、壤土斥水等级、初始含水率的关系。在此基础上,采用全自动三轴渗透仪,开展了改性壤土在不同水头差作用下的渗透试验,揭示了不同斥水等级壤土的入渗性能,获得了改性壤土的稳定入渗率。结果表明: